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ES6U3T2CR 
Rohm Semiconductor
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仕様
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Series | - |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Product Status | Obsolete |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.4A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Supplier Device Package | 6-WEMT |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) |
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住所：Unit 1303, 13/F, Grand City Plaza, Tsuen Wan, N.T., Hong Kong
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