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ES6U1T2R 
Rohm Semiconductor
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仕様
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Series | - |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Product Status | Obsolete |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Supplier Device Package | 6-WEMT |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 6 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
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住所：Unit 1303, 13/F, Grand City Plaza, Tsuen Wan, N.T., Hong Kong
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