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VQ2001P 
Vishay
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仕様
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Series | - |
| Package | Tube |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Power - Max | 2W |
| Configuration | 4 P-Channel |
| Package / Case | - |
| Product Status | Obsolete |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Base Product Number | VQ2001 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 12V |
| Supplier Device Package | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA |
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住所：Unit 1303, 13/F, Grand City Plaza, Tsuen Wan, N.T., Hong Kong
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