Toshiba Semiconductor and Storage TW015N65C,S1F

メーカー品番:

TW015N65C,S1F

メーカー:

Toshiba Semiconductor and Storage

パッケージ／ケース:

TO-247

データシート:

製品説明:

G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH

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数量

仕様

種別	製品説明
カテゴリ	Single FETs, MOSFETs
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
パッケージ／ケース	TO-247
Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4850 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	128 nC @ 18 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 50A, 18V
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 11.7mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	342W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	+25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Package	Tube