画像は参考用です。
TRS8V65H,LQ 
Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー型番:
TRS8V65H,LQ
パッケージ:
4-DFN-EP (8x8)
データシート:
-
説明:
G3 SIC-SBD 650V 8A DFN8X8
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仕様
| Mfr | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Series | - |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Product Status | Active |
| Capacitance @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 8 A |
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住所：Unit 1303, 13/F, Grand City Plaza, Tsuen Wan, N.T., Hong Kong
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