画像は参考用です。
SIS612EDNT-T1-GE3 
Vishay
メーカー型番:
SIS612EDNT-T1-GE3
メーカー:
パッケージ:
PowerPAK® 1212-8S
データシート:
説明:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
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仕様
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Product Status | Obsolete |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Base Product Number | SIS612 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 14A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2060 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
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