画像は参考用です。
SIDR104AEP-T1-RE3 
Vishay
メーカー型番:
SIDR104AEP-T1-RE3
メーカー:
パッケージ:
PowerPAK® SO-8DC
データシート:
説明:
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
価格、数量などに関する具体的なリクエストについては、RFQを送信してください。
仕様
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® Gen IV |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 15A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 6.5W (Ta), 120W (Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.1A (Ta), 90.5A (Tc) |
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