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RFD7N10LE 
Harris Corporation
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仕様
| Mfr | Harris Corporation |
| Series | - |
| Package | Bulk |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 7A, 5V |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
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