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NTH4L028N170M1 
onsemi
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仕様
| Mfr | onsemi |
| Series | - |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Feature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
| Base Product Number | NTH4L02 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 60A, 20V |
| Power Dissipation (Max) | 535W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4230 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 81A (Tc) |
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