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IXFB100N50P 
IXYS
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仕様
| Mfr | IXYS |
| Series | HiPerFET™, Polar |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Base Product Number | IXFB100 |
| Operating Temperature | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 50A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1890W (Tc) |
| Supplier Device Package | PLUS264™ |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20000 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
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住所：Unit 1303, 13/F, Grand City Plaza, Tsuen Wan, N.T., Hong Kong
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