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IRF626 
Harris Corporation
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仕様
| Mfr | Harris Corporation |
| Series | - |
| Package | Bulk |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 1.4A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 275 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
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住所：Unit 1303, 13/F, Grand City Plaza, Tsuen Wan, N.T., Hong Kong
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