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HSG1002VE-TL-E
※画像は参考用です。
Renesas HSG1002VE-TL-E
メーカー品番:
HSG1002VE-TL-E
メーカー:
Renesas
パッケージ／ケース:
4-MFPAK
データシート:
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製品説明:
RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
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価格や数量などのご希望がある場合は、見積依頼をお送りください。
仕様
| 種別 | 製品説明 |
|---|---|
| カテゴリ | Bipolar RF Transistors |
| メーカー | Renesas |
| パッケージ／ケース | 4-MFPAK |
| Frequency - Transition | 38GHz |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.5V |
| Product Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | 4-MFPAK |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Package / Case | 4-SMD, Gull Wing |
| Power - Max | 200mW |
| Mfr | Renesas Electronics America Inc |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz |
| Package | Bulk |
| Gain | 8dB ~ 19.5dB |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 2V |
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Certifications:
ISO 9001:2015
ISO 14001:2015