画像は参考用です。
G30N03D3 
Goford Semiconductor
メーカー型番:
G30N03D3
メーカー:
パッケージ:
8-DFN (3.15x3.05)
データシート:
-
説明:
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
価格、数量などに関する具体的なリクエストについては、RFQを送信してください。
仕様
| Mfr | Goford Semiconductor |
| Series | - |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 24W |
| Supplier Device Package | 8-DFN (3.15x3.05) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 825 pF @ 15 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
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住所：Unit 1303, 13/F, Grand City Plaza, Tsuen Wan, N.T., Hong Kong
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