画像は参考用です。
G01N20LE 
Goford Semiconductor
メーカー型番:
G01N20LE
メーカー:
パッケージ:
SOT-23-3
データシート:
-
説明:
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
価格、数量などに関する具体的なリクエストについては、RFQを送信してください。
仕様
| Mfr | Goford Semiconductor |
| Series | - |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 1.7A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
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住所：Unit 1303, 13/F, Grand City Plaza, Tsuen Wan, N.T., Hong Kong
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