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2N6660 
Microchip Technology
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仕様
| Mfr | Microchip Technology |
| Series | - |
| Package | Bag |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 24 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 410mA (Ta) |
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住所：Unit 1303, 13/F, Grand City Plaza, Tsuen Wan, N.T., Hong Kong
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