画像は参考用です。
1N5809US 
Microchip Technology
メーカー型番:
1N5809US
メーカー:
パッケージ:
B, SQ-MELF
データシート:
-
説明:
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
価格、数量などに関する具体的なリクエストについては、RFQを送信してください。
仕様
| Mfr | Microchip Technology |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Series | - |
| Package | Bulk |
| Technology | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Product Status | Active |
| Base Product Number | 1N5809 |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
ショッピングガイド
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