图像仅供参考
Goford Semiconductor
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FET Type | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 782 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 16A, 10V |
Product Status | Active |
Supplier Device Package | DFN5*6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Series | - |
Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
Package / Case | DFN5*6 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Mfr | Goford Semiconductor |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
Vgs (Max) | ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Package | Tape & Reel (TR) |
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