EPC EPC2212

制造商料号:

EPC2212

制造商:

EPC

封装:

Die

数据手册:

产品描述:

GANFET N-CH 100V 18A DIE

发送询价单

如有关于价格、数量等具体要求，请提交询价单。

数量

规格

类型	产品描述
分类	单 FET，MOSFET
制造商	EPC
封装	Die
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	407 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5mOhm @ 11A, 5V
Product Status	Active
Supplier Device Package	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 3mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	eGaN®
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	Die
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Mfr	EPC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Vgs (Max)	+6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Tape & Reel (TR)